特許

J-GLOBAL ID：202303018583229886

遷移金属担持含窒素炭素材料の製造方法

発明者： 荻野 勲 ,  向井 紳 ,  岩村 振一郎 ,  山▲崎▼ 祐作 ,  小野 博信 ,  鴻巣 修 ,  高松 雄輝
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 弁理士法人WisePlus
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-187165
公開番号（公開出願番号）：特開2023-074291
出願日： 2021年11月17日
公開日（公表日）： 2023年05月29日
要約：

【課題】酸素還元性能に優れる材料を得る方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料にマイクロ波を照射する工程、及び、該照射する工程で得られた改質含窒素炭素材料に遷移金属元素を担持させる工程を含むことを特徴とする遷移金属担持含窒素炭素材料の製造方法である。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料にマイクロ波を照射する工程、及び、 該照射する工程で得られた改質含窒素炭素材料に遷移金属元素を担持させる工程を含むことを特徴とする遷移金属担持含窒素炭素材料の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 32/21 ,  C01B 32/23 ,  C01B 32/198 ,  C01B 32/194 ,  B01J 27/224 ,  C01B 32/05

FI (6件)：

C01B32/21 ,  C01B32/23 ,  C01B32/198 ,  C01B32/194 ,  B01J27/224 M ,  C01B32/05

Fターム (63件)：

4G146AA02 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AB01 ,  4G146AC07B ,  4G146AC15B ,  4G146AC16B ,  4G146AC19B ,  4G146AC27B ,  4G146AD14 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD30 ,  4G146AD35 ,  4G146AD40 ,  4G146BA02 ,  4G146BA43 ,  4G146BA45 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB22 ,  4G146CB26 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169AA11 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC62A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BD01C ,  4G169BD02A ,  4G169BD02B ,  4G169BD06A ,  4G169BD06B ,  4G169BD06C ,  4G169BE14C ,  4G169CC32 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EC03Y ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB03 ,  4G169FC02 ,  4G169FC03 ,  4G169FC04 ,  4G169FC06 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  5H018AS03 ,  5H018BB16 ,  5H018EE06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-023070   出願人：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学
• 低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-227592   出願人：国立大学法人北海道大学, 株式会社日本触媒
• 低欠陥化炭素材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2019-169768   出願人：国立大学法人北海道大学, 株式会社日本触媒