絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：廣瀬一 , 田中秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-115789
公開番号（公開出願番号）：特開2024-111792
出願日： 2023年07月14日
公開日（公表日）： 2024年08月19日
要約：

【課題】界面準位密度の低減ができ、半導体装置の信頼性の劣化を抑制することが可能な絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化シリコンからなるチャネル形成領域の上面にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、窒素原子を含むガスでゲート絶縁膜を熱処理することで、ゲート絶縁膜と炭化シリコンとの界面を窒化処理して、チャネル形成領域とゲート絶縁膜との界面に中間窒化層を形成する工程と、二酸化炭素ガスと窒素ガスとの混合ガスでゲート絶縁膜を熱処理することで、ゲート絶縁膜中の窒素原子の一部を除去し、界面に窒化終端層を形成する工程と、ゲート絶縁膜の上に、チャネル形成領域の表面ポテンシャルを制御するゲート電極を形成する工程とを含む。二酸化炭素ガスに対する窒素ガスの比が0.25以上、0.75以下の割合である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化シリコンからなるチャネル形成領域の上面にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、窒素原子を含むガスで前記ゲート絶縁膜を熱処理することで、前記ゲート絶縁膜と前記チャネル形成領域との界面の炭化シリコンを窒化処理して、前記界面に中間窒化層を形成する工程と、二酸化炭素ガスと窒素ガスとの混合ガスで前記ゲート絶縁膜を熱処理することで、前記ゲート絶縁膜中の窒素原子の一部を除去し、前記界面に窒化終端層を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上に、前記チャネル形成領域の表面ポテンシャルを制御するゲート電極を形成する工程とを含み、前記二酸化炭素ガスに対する前記窒素ガスの比が0.25以上、0.75以下であることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/316

FI (9件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A , H01L29/78 658E , H01L29/78 652T , H01L29/78 301G , H01L21/316 S , H01L21/316 X

Fターム (28件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F140AA06 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD06 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BJ08 , 5F140BK34

引用特許：

出願人引用 (1件)

絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2019-214032 出願人：国立大学法人大阪大学, 富士電機株式会社

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