特許
J-GLOBAL ID：202403011585877160

窒化物半導体基板および半導体積層物

発明者：
堀切 文正

堀切 文正 について

, 
吉田 丈洋

吉田 丈洋 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-208139
公開番号（公開出願番号）：特開2022-088407
特許番号：特許第7425099号
出願日： 2017年10月27日
公開日（公表日）： 2022年06月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III族窒化物半導体の結晶からなり、直径2インチ以上の主面を有する窒化物半導体基板であって、 前記主面に対して最も近い低指数の結晶面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲した(0001)面であり、 前記主面内での位置のうち前記結晶の<1-100>軸に沿った方向の座標をx、前記主面内での位置のうち前記結晶の<11-20>軸に沿った方向の座標をy、前記主面の中心の座標(x,y)を(0,0)、前記主面の法線に対する前記結晶の<0001>軸のオフ角のうち<1-100>軸に沿った方向成分をθm、前記オフ角のうち<11-20>軸に沿った方向成分をθa、前記主面内での位置(x,y)に対する前記オフ角(θm,θa)の変化の割合を(M1,A1)、前記主面の中心における前記オフ角(θm,θa)を(M2,A2)としたときに、 前記主面内での位置(x,y)における前記オフ角(θm,θa)は、以下の式(1)で近似され、前記主面内の任意の位置において、前記式(1)から求められる前記オフ角に対する、実測した前記オフ角の誤差は、±0.06°以内であり、 前記主面の全面積に対する、前記オフ角(θm,θa)が以下の式(2)を満たす連続した領域の面積の割合は、50%超である窒化物半導体基板。 0.0784≦θm2+θa2≦0.578 ・・・(2)
IPC (6件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (8件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 L
引用特許：
審査官引用 (3件)

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