特許
J-GLOBAL ID：200903084000544064
III族窒化物系化合物半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284859
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056979
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】表面が非常に平坦でかつ結晶性の良い III族窒化物系化合物半導体を得る。【解決手段】GaNから成る半導体基板1の結晶成長面σでは、結晶欠陥の少ない平坦で結晶品質の良好な領域と、結晶欠陥集中領域とがa軸方向において、略一定の周期Λ(≒400μm)で繰り返し現れる。即ち、ストライプ状の特異領域Sは、結晶欠陥集中領域で構成されており、そのストライプ幅dは約50μmである。したがって、隣り合う各ストライプの間隔Lはおよそ350μm程度である。このストライプ状の特異領域Sの上には、窒化ガリウム(GaN)から形成する目的の成長層2が、非常に結晶成長し難い。 一方、各ストライプの間に位置する幅Lの結晶成長面では、良好なオフ角θ(:θ2 =θ1 2 +θ2 2 )の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層2が得られる。オフ角は、「θ1 =0.01°,θ2 =0.24°」等とした。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体から成る半導体基板の被研磨面に、 III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させる方法であって、
前記被研磨面を、
前記半導体基板のa面、c面またはm面に対して、
0.15°以上、0.6°以下の範囲のオフ角θを有する傾斜面とした
ことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/205
, H01S5/323 610
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD15
, 5F045AF04
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045CA09
, 5F045CA13
, 5F073CA01
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073EA28
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
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