TAISHI Toshinori

タイシトシノリ | TAISHI Toshinori

Affiliation and department：
Job title： Professor

Research field (2)： Crystal engineering , Applied materials

Research keywords (6)： Beta-gallium oxide , Crystal growth , Evaluation of crystalline defects , Silicon , Germanium , Oxide crystals

Research theme for competitive and other funds (8)：

2021 - 2025 CZシリコン結晶成長における組成的過冷却および転位挙動評価
2019 - 2021 Study on polycrystalline SiC coating
2016 - 2021 Crystal growth of beta-gallium oxide
2012 - 2021 Solution growth of silicon carbide
2013 - 2018 Crystal growth of complete solid solution materials

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Papers (92)：

Michio Kida, Toshinori Taishi. Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystalgrowth: Part 2. Numerical simulations and comparison with measurements,. Journal of Crystal Growth. 2024. 636. 127703
Michio Kida, Toshinori Taishi. Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystalgrowth: Part 1. Temperature measurement,. Journal of Crystal Growth. 2024. 636. 127704
Y. Kagami, S. Yamamoto, R. Uchida, T. Taishi. The effect of the decomposition of CH4 gas on polycrystalline SiC coating on SiC ceramics using Si vapor. Jpn. J. Appl. Phys. 2023. 63. 02SP01
Y. Mukaiyama, Y. Fukui, T. Taishi, Y. Noda, K. Sueoka. Evaluation of numerical simulation of constitutional supercooling during heavily Boron-Doped silicon crystal growth using Cz method. Journal of Crystal Growth. 2023. 619. 127333
M. Shimizu, K. Kimoto, A. Kikuchi, T. Taishi, S. Arai. Lithiation/Delithiation of Silicon Heavily Doped with Boron Synthesized Using the Czochralski Process. Energy Adv.,. 2023. 2. 813

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MISC (103)：

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Patents (2)：

ランガサイト系単結晶の作製方法及び作製装置並びにその単結晶を用いた燃焼圧センサ
無転位シリコン単結晶の製造方法

Books (1)：

液相からの結晶成長入門育成技術と評価方法
日刊工業新聞社 2021

Lectures and oral presentations (56)：

垂直ブリッジマン(VB)法とβ-Ga2O3 単結晶育成
(ワイドギャップ半導体学会(WideG) 特別公開シンポジウム 2023)
Segregation and constitutional supercooling in heavily doped silicon single crystal growth by Czochralski method
(The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, 2023)
バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ
(応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム 2020)
垂直ブリッジマン(VB)法によるバルク単結晶・混晶の育成と特徴
(第41回結晶成長討論会 2018)
TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響
(第12回日本フラックス成長研究発表会 2017)

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Education (2)：

- 2001 Shinshu University
- 1998 長岡技術科学大学工学研究科生物機能工学専攻

Professional career (1)：

博士(工学) (信州大学)

Work history (6)：

2021/04 - 信州大学工学部電子情報システム工学科教授
2011/11 - 2021/03 信州大学工学部准教授
2009/12 - 2011/10 Shinshu University Institute of Carbon Science and Technology
2006/11 - 2009/11 Tohoku University Institute for Materials Research
2004/04 - 2006/10 信州大学教育学部産学官連携研究員

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Awards (4)：

2009/07 - 本多記念会第49回原田研究奨励賞
2003/07 - 第33回日本結晶成長学会論文賞
2002/08 - 第32回日本結晶成長学会講演奨励賞
1999/12 - 平成11年度日本物理学会北陸支部応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演奨励賞

Association Membership(s) (17)：

応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 , 日本学術振興会第145委員会幹事/運営委員 , 日本学術振興会第161委員会運営委員 , International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2021 Local Arrangement Committee Chair , 応用物理学会先進パワー半導体分科会幹事 , The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2024 Chair , 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会幹事 , 日本結晶成長学会理事 , 日本フラックス成長研究会 , 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 , 日本学術振興会第R032産業イノベーションのための結晶成長委員会運営委員 , 応用物理学会結晶工学分科会 , 日本結晶成長学会 , 応用物理学会 , 8th International Symposium onAdvanced Science and Technology of Silicon Materials 2022 Vice Chair , The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2022 Chair , 応用物理学会先進パワー半導体分科会委員

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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