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J-GLOBAL ID：200902215734663270   Reference number：08A0550741

High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors

ワイドバンドギャップZnOにおける高温強度と転位移動度 種々の半導体との比較

Author (4)： YONENAGA I. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  KOIZUMI H. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  OHNO Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  TAISHI T. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 103  Issue： 9  Page： 093502  Publication year： May. 01, 2008 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  *zinc oxide ,  *high temperature strength ,  *dislocation(crystal) ,  activation energy ,  band gap ,  *mechanical strength ,  sphalerite ,  *dislocation velocity ,  mobility(ratio) ,  yield stress ,  temperature dependence
Semi thesaurus term： wurtzite ,  *high temperature strength ,  wide band gap

JST classification (2)： Mechanical properties of solids in general  (BL01021C) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： ワイドバンドギャップ ,  ZnO ,  高温強度 ,  転位 ,  移動度