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J-GLOBAL ID:200901032195456183   Update date: Nov. 20, 2024

Kobayashi Atsushi

コバヤシ アツシ | Kobayashi Atsushi
Affiliation and department:
Homepage URL  (1): https://www.rs.tus.ac.jp/akobayashi/
Research field  (8): Nanostructure chemistry ,  Functional solid-state chemistry ,  Green/sustainable/environmental chemistry ,  Inorganic materials ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Crystal engineering ,  Applied materials ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (12): 太陽電池 ,  電界効果トランジスタ ,  パルスレーザ堆積法 ,  量子デバイス ,  スパッタリング ,  超伝導体 ,  発光素子 ,  界面 ,  物性評価 ,  結晶成長 ,  酸化物半導体 ,  窒化物半導体
Research theme for competitive and other funds  (10):
  • 2023 - 2027 Functional Extension of Nitride Semiconductors by Epitaxial Integration of Novel Materials
  • 2023 - 2025 泉科学技術振興財団 2023年度研究助成
  • 2024 - 2025 第50回(2023年度)岩谷科学技術研究助成
  • 2023 - 2024 日本産業科学研究所 令和5年度研究助成
  • 2021 - 2024 窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築
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Papers (114):
  • Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto, Shota Kaneki, Hajime Fujikura, Atsushi Kobayashi. Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method. Applied Physics Letters. 2024. 125. 2
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts. physica status solidi (a). 2024
  • Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering. Applied Physics Express. 2024
  • Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Preparation of degenerate n-type Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-</sub><sub><i>x</i></sub>N (0 < <i>x</i> ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition. Applied Physics Letters. 2023. 122. 23
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MISC (9):
Patents (1):
  • InGaAlN系半導体素子
Lectures and oral presentations  (316):
  • サファイア基板上エピタキシャルNbN(111)薄膜を用いた超伝導単一光子検出器
    (超伝導エレクトロニクス研究会 2024)
  • Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application
    (BCICTS 2024 2024)
  • スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEG輸送特性の温度依存性
    (第43回電子材料シンポジウム (EMS-43) 2024)
  • エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors
    (E-MRS 2024 Fall Meeting 2024)
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Education (4):
  • 2005 - 2007 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
  • 2003 - 2005 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
  • 2001 - 2003 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Applied Chemistry
  • 1999 - 2001 The University of Tokyo College of Arts and Sciences
Professional career (1):
  • 博士(工学) (東京大学)
Work history (6):
  • 2023/04 - 現在 Tokyo University of Science Faculty of Advanced Engineering Department of Materials Science and Technology
  • 2018/04 - 2023/03 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
  • 2011/04 - 2018/03 Instutute of Industrial Science, The Unversity of Tokyo
  • 2008/04 - 2011/03 JSPS Research Fellow
  • 2007/10 - 2008/03 KAST Reseacher
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Committee career (12):
  • 2023/04 - 現在 International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications Program Committee
  • 2023/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 企画委員
  • 2019/09 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) Steering Committee
  • 2019/07 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
  • 2018/07 - 現在 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事
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Awards (5):
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2014/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2010/07 - 第29回 電子材料シンポジウム EMS賞
  • 2009/03 - 第25回(2008年秋季)応用物理学会講演奨励賞
  • 2006/11 - 第36回結晶成長国内会議講演奨励賞
Association Membership(s) (2):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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