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J-GLOBAL ID：201702214650287241   Reference number：17A0873491

Growth of high quality nitride semiconductors by sputtering and its application to device fabrication

スパッタリング法による高品質窒化物半導体の形成とデバイス応用

Author (4)： FUJIOKA HIROSHI (東大 生産技研) ,  UENO KOHEI (東大 生産技研) ,  KOBAYASHI ATSUSHI (東大 生産技研) ,  OTA JITSUO (東大 生産技研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 86  Issue： 7  Page： 576-580  Publication year： Jul. 10, 2017 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  *gallium nitride ,  *sputtered deposition ,  epitaxy ,  semiconductor process ,  *light emitting diode ,  *HEMT ,  *low temperature ,  *buffer layer ,  low temperature process ,  *III-V semiconductor
Semi thesaurus term： *III-V compound semiconductor

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (23)：

• N. Holonyak Jr. and S.F. Bevacqua: Appl. Phys. Lett. 1, 82 (1962).
• I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foy, and S. Sumski: Appl. Phys. Lett. 17, 109 (1970).
• T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu: Jpn. J. Appl. Phys. 19, L225 (1980).
• J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler, and P. Faine: Appl. Phys. Lett. 56, 623 (1990).
• I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393 (1997).

Terms in the title (4)： スパッタリング法 ,  高品質 ,  窒化物半導体 ,  応用