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J-GLOBAL ID：200901099231945630
Update date: Sep. 19, 2024
TAKAHASHI Yoshihiro
タカハシ ヨシヒロ | TAKAHASHI Yoshihiro
Affiliation and department：
Job title：
Professor
Homepage URL (1)：
http://mail.ecs.cst.nihon-u.ac.jp/~silicon/
Research field (4)：
Electronic devices and equipment
, Environmental effects of radiation
, Electric/electronic material engineering
, Environmental effects of chemicals
Research keywords (11)：
MEMS
, SOI
, single event
, radiation induced current
, Radiation Effects
, MIS Structure
, Si based light emitted device
, UV assisted process
, Anodic oxidation
, Radiation hardened devices
, Semiconductor Devices
Research theme for competitive and other funds (6)：
Papers (26)：
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Yoshihiro TAKAHASHI, Mitsuhiro SHIONO, Tadashi TAKANO. Design and Fabrication of Contactless Slip Ring with Electric Coupling. The Trans. of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers B. 2022. J105-B. 3. 375-378
-
Yusuke WADA, Yan WU, and Yoshihiro TAKAHASHI. Suppression of heavy-ion irradiation induced parasitic bipolar effects in short channel SOI devices. 日本信頼性学会誌. 2017. 39. 3. 145-153
-
高橋芳浩. 半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果. 日本信頼性学会誌. 2014. 36. 8. 460-467
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高橋芳浩,平尾敏雄,小野田忍. Heavy-Ion induced Current in MOS Structures and Its Total Dose Effects. 電子情報通信学会論文誌C. 2012. J95-C. 9. 196-203
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T. Ohshima, S. Onoda, T. Hirao, Y. Takahashi, G. Vizkelethy, B. L. Doyle. Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after Gamma-Ray Irradiation. APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY. 2009. 1099. 1014-1017
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MISC (1)：
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OGURA S., TAKAHASHI Y., MAKINO T., ONODA S., HIRAO T., OHSHIMA T. 1-3 A Study on Soft-Error Hardening for SOI Devices. Proceedings of ... Reliability Symposium : the journal of Reliability Engineering Association of Japan. 2012. 2012. 20. 15-18
Lectures and oral presentations (370)：
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SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
(2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
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電界結合型非接触スリップリングの小型化に関する検討
(2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
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電界結合型非接触スリップリングの安定化に向けた検討
(日本大学理工学部術講演会 2023)
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Pocket構造がトンネルFETの電気的特性に及ぼす影響
(日本大学理工学部術講演会 2023)
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SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
(日本大学理工学部術講演会 2023)
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Education (2)：
- - 1988 Nihon University Graduate School, Division of Science and Engineering 電子工学専攻
- - 1986 Nihon University Faculty of Science and Engineering 電子工学
Work history (4)：
- 2011/04 - 現在 日本大学 教授
- 2007/04 - 2011/03 Associate Professor, Nihon University
- 2001/04 - 2007/03 Lecturer, Nihon University
- 1989/04 - 2001/03 Research Assistant, Nihon University
Committee career (4)：
- 2014/04 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 表面・界面・シリコン材料研究委員会 幹事
- 1992/04 - 現在 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員
- 2015/04 - 2019/05 日本信頼性学会 評議員
- 2011/04 - 2015/03 日本信頼性学会 理事
Awards (3)：
- 2013/06 - 日本信頼性学会 日本信頼性学会 優秀賞 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
- 2012/12 - The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications Best Poster Award Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device
- 2009/11 - 理工学部学術賞 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
Association Membership(s) (3)：
日本信頼性学会
, 'Institute of Electronics, Information and Communication Engineering''
, Japan Society of Applied Physics
