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J-GLOBAL ID：201702225120777088   Reference number：17A0643116

Suppression of heavy-ion irradiation induced parasitic bipolar effects in short channel SOI devices

微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制

Author (3)： WADA YUSUKE (日本大 大学院理工学研究科) ,  WU Yan (日本大 理工) ,  TAKAHASHI YOSHIHIRO (日本大 理工)
Material： 日本信頼性学会誌  (REAJ誌)
Volume： 39  Issue： 3  Page： 145-153  Publication year： May. 01, 2017 
JST Material Number： L2778A  ISSN： 0919-2697  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron beam induced current ,  *heavy ion irradiation ,  *MOSFET ,  *SOI structure ,  complementary metal oxide semiconductor ,  inverter ,  suppression and control ,  *malfunction ,  *radiation effect ,  bipolar transistor ,  computer simulation ,  collection
Semi thesaurus term： Single Event Effects ,  transient current ,  *寄生バイポーラ効果 ,  charge collection

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Interactions with ions  (BK16070Z)

Reference (10)：

• 高橋芳浩(2014):“半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果”,信頼性,Vol36,pp.460-467
• L.R. Hite et al. (1985) : “Transient Radiation Effects in SOI Memories,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol. NS-32, pp.4432-4437
• V.F. Cavrios, et al. (2005) : “Direct Measurement of Transient Pulses Induced by Laser and Heavy Ion Irradiation in Deca-Nanometer Device,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol.52, pp.2104-2113
• L.R. Hite et al. (1992) : “An SEU Resistant 256k SOI SRAM,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol. 39, pp.2121-2125
• R. C. Lacoe. (2008) : “Improving Integrated Circuit Performance through the Application of Hardness-by-Design Methodology,” IEEE Trans. on Nucl. Sci., Vol.55, pp.1903-1925

Terms in the title (6)： 微細 ,  SOI ,  重イオン照射 ,  誘起 ,  寄生 ,  バイポーラ