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J-GLOBAL ID：200901007731172067 Update date: Sep. 18, 2023

Sato Taketomo

サトウタケトモ | Sato Taketomo

Affiliation and department：
Job title： Associate Professor
Homepage URL (1)： http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/home/index.html

Research field (2)： Electronic devices and equipment , Electric/electronic material engineering

Research keywords (8)： Nitride Semiconductor , electron devices , wet etching , electrochemistry , porous structure , functionalization , photo-electric conversion , chemical sensor

Research theme for competitive and other funds (40)：

2021 - 2024 超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
2020 - 2023 Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors
2016 - 2021 Interface control of heterojunctions including singularity structures for advanced electron devices
2016 - 2021 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)
2021 - 社会実装を目指したGaN縦型パワーデバイス作製技術の確立

2021 - GaNの光電気化学エッチングに関する研究

2021 - GaNの光電気化学プロセス

2017 - 2020 Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications

2020 - GaNの光電気化学エッチングに関する研究

2020 - GaNの光電気化学プロセス

2019 - GaNの光電気化学エッチングに関する研究

2015 - 2018 Visible light responsive photocatalysts utilizing nitride semiconductor-based nanostructures for artificial photosynthesis

2015 - 2018 窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

2015 - 2018 III-V族化合物半導体の酸化腐食に関する研究

2013 - 2016 Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors

2016 - 2016 絶縁膜物性・界面状態のGaNトランジスタの性能と関係性の研究

2013 - 2015 低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

2012 - 2015 GaN HEMTのためのプロセス技術と接合界面評価

2012 - 2014 Exploration of novel materials for photochemical water splitting based on semiconductor nanowires and nanostructures

2009 - 2012 High-density formation of functionalized nano-interfaces based on semiconductor porous structures for high-sensitive chemical-sensing technology

2009 - 2012 Reliability improvement of GaN transistors based on the control of electronic states and a nobel gate structure

2009 - 2010 化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用

2009 - 2010 窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御

2008 - 2009 次世代センサーネットワークの実現に向けた化合物半導体化学センサの開発と高性能化に関する研究

2007 - 2008 Formation of three-dimensional quantum nanostructure networks based on compound semiconductor porous structuresq

2007 - 2008 III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御

2008 - High-efficiency energy-conversion devices based on semiconductor nanostructures

2006 - 2007 選択的結晶成長による窒化ガリウム系ナノワイヤ・ネットワークの作製

2006 - 2007 化合物半導体ナノ構造の自己組織化形成と高感度化学センサへの応用

2005 - 2006 Reliability improvement of GaN-based devices by controlling defects and interfaces

2005 - 2005 半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究

2004 - 2005 ギガ・ノード超高密度量子ナノ集積構造の作製と表面制御技術の開発

2003 - 2005 Fabrication of Photonic Crystals by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Their Application to Devices

2003 - 2004 選択的半導体結晶成長法による量子集積回路作製プロセスの研究開発

2002 - 2003 量子集積回路の実現に向けた高性能ナノショットキーゲート電極の開発

2000 - 2002 Formation of Photonic Crystals by Selective Area Growth and Their Applications

1998 - 2000 電気化学プロセスによる金属-化合物半導体界面の制御とその電子デバイスへの応用

1997 - Self-assembled formation of semiconductor nanostructures using electrochemcial process and its application to sensors

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Papers (159)：

Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato. Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques. Applied Physics Express. 2023. 16. 9. 091002-1-091002-2
Masamichi Akazawa, Yuya Tamamura, Takahide Nukariya, Kouta Kubo, Taketomo Sato, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi. Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance-voltage method. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 19. 195302-1-195302-10
Michihito Shimauchi, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Taketomo SATO, Junichi Motohisa. Fabrication of GaN nanowires containing n+-doped top layer by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment. Applied Physics Express. 2021
Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato. Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs). Journal of Applied Physics. 2021. 130. 2. 024501-024501
Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato. HfSiOx-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2021. 11686

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MISC (8)：

佐藤威友. 窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用-Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications-電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]. 2022. 2022. 172-177・179-190. 61-64
佐藤威友. 窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用-Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications-電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]. 2022. 2022. 32-37・39-50. 61-64
渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友. Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching (2). 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友. Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
佐藤威友, 渡部晃生, 熊崎祐介. 電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用. Proceedings of the Chemical Sensor Symposium. 2014. 56. 64-66

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Patents (4)：

Books (2)：

半導体製造におけるウェット/ドライエッチング
(株)R&D支援センター 2022 ISBN:9784905507611
Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots
Springer 2007

Lectures and oral presentations (353)：

Self-terminating photo-electrochemical (PEC) etching for recessed-gate fabrication on AlGaN/GaN HEMTs
(2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022))
Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
光電気化学(PEC)エッチングの自己停止とAlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
n型及びp型GaN表面の電気化学的評価
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)
n-GaN加工表面に対するコンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチング (2)
(第83回応用物理学会秋季学術講演会)

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Works (2)：

電子情報工学実験テキストの作成・更新
佐藤威友
量子集積エレクトロニクス研究センターホームページの更新
佐藤威友

Education (3)：

1998 - 2001 Hokkaido University
1996 - 1998 Hokkaido University
1992 - 1996 Hokkaido University School of Engineering

Professional career (1)：

博士(工学) (北海道大学)

Work history (3)：

2004/04 - 現在 Hokkaido University Research Center for Integrated Quantum Electronics
2001/10/01 - 2004/03/31 Hokkaido University Graduate School of Engineering
2001/04/01 - 2001/09/30 Hokkaido University Research Center for Integrated Quantum Electronics

Committee career (14)：

2021/11 - 現在 SSDM Sub-Committee Area Vice Chair (Area4: Power / High-speed Devices and Materials)
2021/04 - 現在電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究会電子デバイス (ED) 研究会専門委員会
2021 - 現在 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 実行委員
2020/04 - 現在応用物理学会 APEX/JJAP編集委員
2018/04 - 現在電子情報通信学会北海道支部学生会顧問

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Awards (2)：

2000/11 - 応用物理学会第61回秋期応用物理学会学術講演会『講演奨励賞』化合物半導体ナノショットキー界面の電気的特性とその制御
1997/12 - 電気関係学会北海道支部会平成9年度『若手講演者賞』 In situ 電気化学プロセスを用いたショットキー障壁の形成

Association Membership(s) (4)：

The Electrochemical Society , 電子情報通信学会 , Japanese Society of Applied Physics , The Electrochemical Society of Japan

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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