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J-GLOBAL ID：201303050739924338

半導体装置とその製造方法

Inventor： 杉本 雅裕 ,  副島 成雅 ,  上杉 勉 ,  加地 徹 ,  橋詰 保 ,  佐藤 威友
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  国立大学法人北海道大学
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008053543
Publication number (International publication number)：2009212291
Patent number：5302553
Application date： Mar. 04, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 窒化物半導体下層と窒化物半導体上層が積層されている半導体基板と、 その半導体基板の表面に形成されているソース電極とドレイン電極と、 そのソース電極とドレイン電極の間に位置している前記半導体基板の表面に形成されているゲート電極を備えており、 前記窒化物半導体下層の表面に凹部が形成されており、 前記凹部は、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向に伸びている側面と、底面と、を備えており、 前記窒化物半導体上層は、前記窒化物半導体下層よりも大きなバンドギャップを備えており、 前記窒化物半導体上層は、前記窒化物半導体下層の前記表面と、前記凹部の前記側面と、の双方に対してヘテロ接合しており、 前記ゲート電極は、前記凹部よりも前記ソース電極寄りの前記半導体基板の表面と前記凹部よりも前記ドレイン電極寄りの前記半導体基板の表面をも覆っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-156458   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-120101   Applicant：サンケン電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• 電子波干渉素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-022745   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-156458   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-120101   Applicant：サンケン電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• 電子波干渉素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-022745   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• マルチメサゲートAlGaN/GaN HEMT ドレイン電流の高温における高い安定性