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J-GLOBAL ID：201402207830996295   Reference number：14A0552084

Phase separation of thick (~1μm) In_xGa_1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

AlN/Si (111)上に成長させた厚さ(~1μm)In_xGa_1-xN(x ~ 0.3)の相分離 金属的In-GaとGaNリッチなInGaNの同時出現

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Author (9)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO Akio (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASAN Tanvir (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASAN Tanvir (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MIHARA Akihiro (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  MIHARA Akihiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  NARITA Norihiko (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  KUZUHARA Masaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 7  Issue： 3  Page： 035502.1-035502.4  Publication year： Mar. 2014 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  silicon ,  *gallium nitride ,  indium nitride ,  epitaxy ,  MOCVD ,  thermal stability
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (21)：

• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
• A. G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, IEEE J. Photovoltaics 2, 276 (2012).
• I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
• T. Sugahara, M. Hao, T. Wang, D. Nakagawa, Y. Naoi, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1195 (1998).

Terms in the title (8)： AlN ,  Si ,  成長 ,  厚さ ,  相分離 ,  Ga ,  GaN ,  InGaN