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J-GLOBAL ID：200901099231945630   Update date: Mar. 11, 2024

TAKAHASHI Yoshihiro

タカハシ ヨシヒロ | TAKAHASHI Yoshihiro
Affiliation and department：
Nihon University College of Science and Technology Department of Electronic Engineering

About Nihon University College of Science and Technology Department of Electronic Engineering


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： http://mail.ecs.cst.nihon-u.ac.jp/~silicon/
Research field  (4)： Electronic devices and equipment ,  Environmental effects of radiation ,  Electric/electronic material engineering ,  Environmental effects of chemicals
Research keywords  (11)： MEMS ,  SOI ,  single event ,  radiation induced current ,  Radiation Effects ,  MIS Structure ,  Si based light emitted device ,  UV assisted process ,  Anodic oxidation ,  Radiation hardened devices ,  Semiconductor Devices
Research theme for competitive and other funds  (6)：
  • 2018 - 2021 Study on a Contactless Slip Ring with Electric Coupling
  • 2018 - 2020 電界結合による非接触スリップリングの研究
  • 2004 - 2008 マイクロ機械/知能エレクトロニクス集積化技術の総合研究
  • 2002 - 2003 マイクロテクノロジーによるインテリジェントデバイスの開発
  • 2002 - 2002 半導体素子の放射線照射効果に関する研究
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Papers (25)：
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MISC (1)：
  • OGURA S., TAKAHASHI Y., MAKINO T., ONODA S., HIRAO T., OHSHIMA T. 1-3 A Study on Soft-Error Hardening for SOI Devices. Proceedings of ... Reliability Symposium : the journal of Reliability Engineering Association of Japan. 2012. 2012. 20. 15-18
Lectures and oral presentations  (371)：
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    (2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
  • 電界結合型非接触スリップリングの小型化に関する検討
    (2024年電子情報通信学会総合大会 2024)
  • 電界結合型非接触スリップリングの安定化に向けた検討
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
  • Pocket構造がトンネルFETの電気的特性に及ぼす影響
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
  • SOI-MOSFETの重イオン照射誘起電流における支持基板の影響
    (日本大学理工学部術講演会 2023)
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Education (2)：
  • - 1988 Nihon University Graduate School, Division of Science and Engineering 電子工学専攻
  • - 1986 Nihon University Faculty of Science and Engineering 電子工学
Work history (4)：
  • 2011/04 - 現在 日本大学 教授
  • 2007/04 - 2011/03 Associate Professor, Nihon University
  • 2001/04 - 2007/03 Lecturer, Nihon University
  • 1989/04 - 2001/03 Research Assistant, Nihon University
Committee career (4)：
  • 2014/04 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 表面・界面・シリコン材料研究委員会 幹事
  • 1992/04 - 現在 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員
  • 2015/04 - 2019/05 日本信頼性学会 評議員
  • 2011/04 - 2015/03 日本信頼性学会 理事
Awards (3)：
  • 2013/06 - 日本信頼性学会 日本信頼性学会 優秀賞 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
  • 2012/12 - The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications Best Poster Award Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device
  • 2009/11 - 理工学部学術賞 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
Association Membership(s) (3)：
日本信頼性学会 ,  'Institute of Electronics, Information and Communication Engineering'' ,  Japan Society of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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