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J-GLOBAL ID：200902060941721073   Reference number：92A0369316

Investigation of Thermal Removal of Native Oxide from Si(100) Surfaces in Hydrogen for Low-Temperature Si CVD Epitaxy.

低温Si-CVDエピタクシーのための水素中におけるSi(100)表面からの自然酸化物熱除去

Author (4)： YAMAZAKI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  MIYATA N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  AOYAMA T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  ITO T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 139  Issue： 4  Page： 1175-1180  Publication year： Apr. 1992 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： micro circuit technique ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (7)： 低温 ,  Si ,  CVD ,  エピタクシー ,  水素 ,  自然酸化物 ,  熱除去