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J-GLOBAL ID：200902066580143752   Reference number：87A0537610

Comment on “temperature dependence of electrical properties of non-doped and nitrogen-doped beta-SiC single crystals grown by chemial vapor deposition”.

「化学蒸着法で作製した非ドープおよび窒素ドープベータSiC単結晶の電気特性の温度依存性」に対するコメント

Author (9)： SEGALL B (Case Western Reserve Univ., OH, USA) ,  ALTEROVITZ S A (Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA) ,  HAUGLAND E J (Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA) ,  MATUS L G (Lewis Research Center, National Aeronautics and Space Administration, OH, USA) ,  SUZUKI A (Sharp Corp., Tenri, JPN) ,  UEMOTO A (Sharp Corp., Tenri, JPN) ,  SHIGETA M (Sharp Corp., Tenri, JPN) ,  FURUKAWA K (Sharp Corp., Tenri, JPN) ,  NAKAJIMA S (Sharp Corp., Tenri, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 21  Page： 1533-1534  Publication year： May. 25, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (9)： 化学蒸着法 ,  作製 ,  ドープ ,  窒素ドープ ,  SiC ,  単結晶 ,  電気特性 ,  温度依存性 ,  コメント