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J-GLOBAL ID：200902067982606631   Reference number：92A0555567

Oxidation kinetics of SiC deposited from CH₃SiCl₃/H₂ under CVI conditions.

化学的蒸気浸透条件下でCH₃SiCl₃/H₂から析出した炭化けい素の酸化速度論

Author (3)： FILIPUZZI L (Lab. Composites Thermostructuraux, CNMS, Pessac, FRA) ,  NASLAIN R (Lab. Composites Thermostructuraux, CNMS, Pessac, FRA) ,  JAUSSAUD C
Material： Journal of Materials Science  (J Mater Sci)
Volume： 27  Issue： 12  Page： 3330-3334  Publication year： Jun. 15, 1992 
JST Material Number： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...
Semi thesaurus term： silica ,...

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JST classification (1)： Manufacturing of ceramics and ceramic whiteware  (YC03020V)

Terms in the title (7)： 化学 ,  蒸気 ,  浸透 ,  H2 ,  析出 ,  炭化けい素 ,  酸化速度論