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J-GLOBAL ID：200902075722020725   Reference number：89A0128244

The finite element thermal analysis of amorphous silicon thin films irradiated by a pulsed laser.

有限要素法によるパルスレーザ光照射アモルファスシリコン薄膜の熱解析

Author (2)： NAKAMIYA TOSHIYUKI (熊本工大 工) ,  EBIHARA KENJI (熊本大 工)
Material： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
Volume： 108  Issue： 10  Page： 443-450  Publication year： Oct. 1988 
JST Material Number： S0808A  ISSN： 0385-4205  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： finite element method ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Reference (24)：

• (1) G. Auvert, D. Bensahel, A. Perio, V. T. Nguyen & G. A. Rozgonyi: "Explosive crystallization of a-Si films in both the solid and liquid phases", Appl. Phys. Lett., 39, 724 (1981)
• (2) S. Prawer, R. Kalish & M. Adel: "Pulsed laser treatment of diamondlike carbon films", Appl. Phys. Lett., 48, 1585 (1986)
• (3) Ioannis N. Miaoulis & Bora. B. Mikic: "Temperature distribution of silicon-on-insulator systems during recrys. tallization processing", J. Appl. Phys., 59, 1663 (1986)
• (4) G. E. Jellison, Jr. & D. H. Lowndes: Semiconductors and Semimetals, edited by R. F. Wood, C. W. White & R. T. Young, chap. 3 & 8 (1984) Academic Press
• (5) Arun Inam, X. D. Wu, T. Venkatesan, S. B. Ogale, C. C. Chang & D, Dijkkamp: "Pulsed laser etching of high Tc superconducting films", Appl. Phys. Lett., 51, 1112 (1987)

Terms in the title (6)： 有限要素法 ,  パルス ,  レーザ光照射 ,  アモルファス ,  シリコン薄膜 ,  熱解析