Art

J-GLOBAL ID：200902098637281544   Reference number：81A0349313

銀を含むAs-S系アモルファス半導体メモリー素子の製作法とその電気的特性

Author (3)： HIROSE YOICHI (日本工大工) ,  HIROSE HARUO (日本工大工) ,  KUNIOKA AKIO (青山学院大理工)
Material： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
Volume： 101  Issue： 6  Page： 332-338  Publication year： Jun. 1981 
JST Material Number： S0808A  ISSN： 0385-4205  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=81A0349313&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0808A") }}

JST classification (2)： Electric conduction in amorphous and liquid semiconductors  (BM03042G) ,  Memory units  (JC04060F)

Reference (27)：

• (1) S. R. Ovshinsky & H. Fritzsche: "Amorphous semiconductor for switching, memory and image applications", IEEE Trans. Electron Devices, ED-20, 91 (1973)
• (2) D. Adler: Amorphous Semiconductors, p. 96 (1972) Butterworths, London
• (3) H. J. Hovel: "Switching and memory in ZnSe-Ge heterojunctions", Appl. Phys. Letters, 17, 141 (1970)
• (4) Y. Hamakawa & M. Yoshida: "Current break off and memory effect in SbSI-SnO₂ heterostructure thin film", Proc. 2nd. Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1970, Suppl. to Oyo Buturi, 40, 80 (1971)
• (5) T. Matsushita, T. Yamagami & M. Okuda: "Polarized memory effect observed on Se-SnO₂ System", Japan J. Appt. Phys., 11, 1657 (1972)

Terms in the title (5)： 銀 ,  アモルファス半導体 ,  メモリー素子 ,  製作法 ,  電気的特性