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J-GLOBAL ID：200902100623759349   Reference number：01A0212524

Initial Stage of Hydrogen Etching of Si Surfaces Investigated by Infrared Reflection Absorption Spectroscopy.

赤外反射吸収分光法によって調べたSi表面の水素エッチングの初期段階

Author (4)： NODA H (Graduate Univ. Advanced Studies, Okazaki, JPN) ,  URISU T (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KOBAYASHI Y (NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN) ,  OGINO T (NTT Basic Res. Lab., Atsugishi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 12B  Page： 6985-6989  Publication year： Dec. 30, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *etching ,...
Semi thesaurus term： IRAS ,...

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JST classification (2)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Reference (19)：

• 1) S. M. Gates, R. R. Kunz and C. M. Greenlief: Surf. Sci. 207 (1989) 364.
• 2) C. C. Cheng and J. T. Yates, Jr.: Phys. Rev. B 43 (1991) 4041.
• 3) C. M. Greenlief, S. M. Gates and P. A. Holbert: Chem. Phys. Lett. 159 (1989) 202.
• 4) J. J. Boland: Surf. Sci. 261 (1992) 17.
• 5) Y. Wei, L. Li and I. S. T. Tsong: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1818.

Terms in the title (5)： 赤外反射吸収分光法 ,  Si ,  水素 ,  エッチング ,  初期段階