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J-GLOBAL ID：200902102245120000   Reference number：00A0456019

Application of HfN/Hf Bilayered Film as a Diffusion Barrier for Cu Metallization System of Si Large-Scale Integration.

Si大規模集積のCuメタライゼーション系のための拡散障壁としてのHfN/Hf二層膜の適用

Author (3)： YOSHIMOTO K (Asahikawa National Coll. Technol., Asahikawa, JPN) ,  SHINKAI S (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 4A  Page： 1835-1839  Publication year： Apr. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hafnium ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (19)：

• 1) T. Ito, H. Ishikawa and H. Nakamura: VLSI no Hakumaku Gijutu (Thin Film Technology of VLSI) (Maruzen, Tokyo, 1986) p. 171 [in Japanese].
• 2) A. Cros, M. O. Aboelfotoh and K. N. Tu: J. Appl. Phys. 67 (1990) 3328.
• 3) C. A. Chang: J. Appl. Phys. 67 (1990) 566.
• 4) L. Stolt and F. M. D’heurle: Thin Solid Films 189 (1990) 269.
• 5) K. Holloway and P. M. Fryer: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1736.

Terms in the title (7)： Si ,  大規模集積 ,  Cu ,  メタライゼーション ,  拡散障壁 ,  HF ,  二層膜