High-Aspect-Ratio Nanometer-Pattern Fabrication Using Fullerene-Incorporated Nanocomposite Resists for Dry-Etching Application.

SHIBATA T; ISHII T; NOZAWA H; TAMAMURA T

Art

J-GLOBAL ID：200902103383141520 Reference number：98A0247969

High-Aspect-Ratio Nanometer-Pattern Fabrication Using Fullerene-Incorporated Nanocomposite Resists for Dry-Etching Application.

フラーレンを混入したナノ複合レジストを用いたドライエッチングによる高アスペクト比のナノメータパターンの作製

Publisher site Copy service {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=98A0247969&COPY=1") }}
Access JDreamⅢ for advanced search and analysis. {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0247969&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

Author (4)： , , ,
Material：
Volume： 36 Issue： 12B Page： 7642-7645 Publication year： Dec. 1997
JST Material Number： G0520B ISSN： 0021-4922 Document type： Article
Article type：原著論文 Country of issue： Japan (JPN) Language： ENGLISH (EN)

,...

To see more with JDream III (charged). {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0247969&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

Manufacturing technology of solid-state devices

Reference (8)：

1) K. Deguchi, K. Miyoshi, T. Ishii and T. Matsuda: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 2954.
2) T. Tanaka, M. Morigami and N. Atoda: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 6059.
3) K. Suzuki, M. Yamashita, N. Kawakami, A. Yoshikawa and A. Nakaue: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 14</b> (1996) 3916
4) T. Ishii, H. Nozawa and T. Tamamura: Microelectron. Eng. 35 (1997) 113.
5) T. Ishii, H. Nozawa and T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1110

ｍore...

, , , , , ,

Return to Previous Page