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J-GLOBAL ID：200902104116652996   Reference number：02A0058594

Composition Dependence of Thermal Annealing Effect on 1.3μm GaInNAs/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Chemical Beam Epitaxy.

化学ビームエピタキシにより成長した1.3μm GaInNAs/GaAs量子井戸レーザにおける熱アニーリング効果の組成依存性

Author (7)： MAKINO S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAGEYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IKENAGA Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ARAI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 11B  Page： L1211-L1213  Publication year： Nov. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (17)：

• 1) M. Kondow, K. Uomi, A, Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 2) K. Iga: 8th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials ThA1-1 (1996).
• 3) K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M. C. Larson and K. Uomi: IEEE Photon. Technol. Lett. 10 (1998) 487.
• 4) F. Höhnsdorf, J. Koch, S. Leu, W. Stolz, B. Borchert and M. Druminski: Electron. Lett. 35 (1999) 571.
• 5) S. Sato and S. Satoh: Electron. Lett. 35 (1999) 1251.

Terms in the title (7)： 化学ビームエピタキシ ,  成長 ,  GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸レーザ ,  熱アニーリング ,  組成依存性