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J-GLOBAL ID：200902104528757830   Reference number：99A0276974

Study of the SiO₂-to-Si₃N₄ etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO₂-to-Si mechanism.

フルオロカーボンの誘導結合プラズマ中でのSi₃N₄に対するSiO₂とSiに対するSiO₂の選択エッチング機構の比較

Author (6)： SCHAEPKENS M (State Univ. New York, New York) ,  STANDAERT T E F M (State Univ. New York, New York) ,  RUEGER N R (State Univ. New York, New York) ,  SEBEL P G M (State Univ. New York, New York) ,  OEHRLEIN G S (State Univ. New York, New York) ,  COOK J M (Lam Res. Corp., California)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 17  Issue： 1  Page： 26-37  Publication year： Jan. 1999 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...
Semi thesaurus term： fluorocarbon ,...

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JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (3)： Trifluoromethane ,  Hexafluoroethane ,  Hexafluoropropylene

Terms in the title (6)： フルオロカーボン ,  誘導結合プラズマ ,  Si3N4 ,  SiO2 ,  Si ,  選択エッチング