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J-GLOBAL ID：200902105247388824   Reference number：01A0207448

Verification of hot hole scattering rates in silicon by quantum-yield experiment.

量子収量実験によるシリコン中の熱い正孔散乱率の検証

Author (4)： KAMAKURA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWASHIMA I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DEGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANIGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 88  Issue： 10  Page： 5802-5809  Publication year： Nov. 15, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： イオン化係数

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 量子収量 ,  実験 ,  シリコン ,  正孔 ,  散乱 ,  検証