Art

J-GLOBAL ID：200902105747955059   Reference number：97A0742866

Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF₆ plasmas.

高イオン密度のArとSF₆プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

Author (7)： LEE J W (Univ. Florida, Florida) ,  LEE K N (Univ. Florida, Florida) ,  STRADTMANN R R (Univ. Florida, Florida) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  HOBSON W S (Bell Lab., New Jersey) ,  REN F (Bell Lab., New Jersey)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 15  Issue： 3 Pt 1  Page： 890-893  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： radiation damage ,...
Semi thesaurus term： gallium indium phosphide

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0742866&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0789B") }}

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： イオン密度 ,  Ar ,  SF6 ,  プラズマ ,  AlGaAs ,  InGaP ,  損傷 ,  研究