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J-GLOBAL ID：200902105747955059   Reference number：97A0742866

Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF₆ plasmas.

高イオン密度のArとSF₆プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

Author (7)： LEE J W (Univ. Florida, Florida) ,  LEE K N (Univ. Florida, Florida) ,  STRADTMANN R R (Univ. Florida, Florida) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  HOBSON W S (Bell Lab., New Jersey) ,  REN F (Bell Lab., New Jersey)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 15  Issue： 3 Pt 1  Page： 890-893  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： radiation damage ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： イオン密度 ,  Ar ,  SF6 ,  プラズマ ,  AlGaAs ,  InGaP ,  損傷 ,  研究