Art

J-GLOBAL ID：200902111814593434   Reference number：98A0527377

The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in a 0.3-micron-technology Node DRAM.

0.3ミクロン技術のノードDRAMにおけるCOPによって誘起される欠陥セルの解析

Author (9)： MURANAKA M (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  MAKABE K (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  MIURA M (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  KATO H (Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  IWAI H (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAMURA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TADAKI Y (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAERIYAMA T (Texas Instruments Inc., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 3B  Page： 1240-1243  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： submicron process ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0527377&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (3)：

• 1) M. Itsumi, H. Akiya, T. Ueki, M. Tomita and M. Yamawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 812
• 2) M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda and Y. Kitagawara: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 5597
• 3) S. M. Sze: <i>Physics of Semiconductor Devices</i> (John Wiley & Sons Inc., New York, 1981) p. 446.

Terms in the title (7)： ノード ,  DRAM ,  COP ,  誘起 ,  欠陥 ,  セル ,  解析