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J-GLOBAL ID：200902112026593365   Reference number：96A0443798

InAs-GaAs Quantum Pyramid Lasers: In Situ Growth, Radiative Lifetimes and Polarization Properties.

InAs-GaAs量子ピラミッドレーザ その場成長,放射寿命及び偏光特性

Author (9)： BIMBERG D (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  LEDENTSOV N N (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  GRUNDMANN M (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  KIRSTAEDTER N (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  SCHMIDT O G (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  MAO M H (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  USTINOV V M (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN) ,  EGOROV A YU (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, SUN) ,  HEYDENREICH J (Max-Plank-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 35  Issue： 2B  Page： 1311-1319  Publication year： Feb. 1996 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (32)：

• GOLDSTEIN, L. Appl.Phys.Lett. 1985, 47, 1099
• NOTZEL, R. Phys.Rev.Lett. 1991, 67, 3812
• LEONARD, D. Appl.Phys.Lett. 1993, 63, 3203
• MOISON, J. M. Appl.Phys.Lett. 1994, 64, 196
• LEDENTSOV, N. N. Proc.22nd Int.Conf.Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada. 1995, 3, 1855

Terms in the title (8)： InAs ,  GaAs ,  量子 ,  ピラミッド ,  レーザ ,  その場成長 ,  放射寿命 ,  偏光特性