Art

J-GLOBAL ID：200902116085995685   Reference number：00A0447639

Low-Temperature and Low-Activation-Energy Process for the Gate Oxidation of Si Substrates.

低温,低活性化エネルギープロセスによるSi基板のゲート酸化

Author (4)： UENO T (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MORIOKA A (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  CHIKAMURA S (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  IWASAKI Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 4B  Page： L327-L329  Publication year： Apr. 15, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *oxidation ,...

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JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (11)：

• 1) J. R. Ligenza: J. Appl. Phys. 36 (1965) 2703.
• 2) J. Kraitchman: J. Appl. Phys. 38 (1967) 4323.
• 3) T. Sugano: Thin Solid Films 92 (1982) 19.
• 4) C. Martinet and R. A. B. Devine: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3500.
• 5) T. Koromogawa, T. Fujii, A. Yamashita, Y. Horiike and H. Shindo: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 5028.

Terms in the title (6)： 低温 ,  活性化エネルギー ,  プロセス ,  Si基板 ,  ゲート ,  酸化