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J-GLOBAL ID：200902118313713744   Reference number：97A0362799

Analysis by Surface-sensitive Second Harmonic Generation of Si(111) 7×7 Exposed to High-purity Ozone Jet for Oxide Film Formation.

酸化膜生成のために高純度オゾンジェットに曝露したSi(111)7×7の表面感受性第二高調波発生による分析

Author (3)： NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 25  Issue： 2  Page： 88-93  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Ozone ,...
Semi thesaurus term： SHG(harmonic)

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JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Nonlinear optics  (BD05000T)

Terms in the title (9)： 酸化膜 ,  高純度 ,  オゾン ,  ジェット ,  曝露 ,  Si ,  感受性 ,  第二高調波発生 ,  分析