Art

J-GLOBAL ID：200902118313713744   Reference number：97A0362799

Analysis by Surface-sensitive Second Harmonic Generation of Si(111) 7×7 Exposed to High-purity Ozone Jet for Oxide Film Formation.

酸化膜生成のために高純度オゾンジェットに曝露したSi(111)7×7の表面感受性第二高調波発生による分析

Author (3)： NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 25  Issue： 2  Page： 88-93  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ozone ,...
Semi thesaurus term： SHG(harmonic)

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0362799&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0709A") }}

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Nonlinear optics  (BD05000T)

Terms in the title (9)： 酸化膜 ,  高純度 ,  オゾン ,  ジェット ,  曝露 ,  Si ,  感受性 ,  第二高調波発生 ,  分析