Art

J-GLOBAL ID：200902120728314432   Reference number：01A0160481

Vanadium Ion Implanted Guard Rings for High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers.

4H-SiCの高電圧Shcottky整流器用のバナジウムイオンを注入したガードリング

Author (6)： HATAYAMA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  YONEDA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  NAKATA T (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  WATANABE M (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 12A  Page： L1216-L1218  Publication year： Dec. 01, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： guard ring

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (15)：

• 1) H. Matsunami and T. Kimoto: Mater. Sci. & Eng. R<B>20</B> (1997) 125.
• 2) W. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl: <I>Silicon Carbide</I> (John Wiley & Sons, New York, 1997).
• 3) K. Ueno, T. Urushidani, K. Hashimoto and Y. Seki: IEEE Trans. Electron Devices Lett. 17 (1995) 331.
• 4) A. Itoh, T. Kimoto and H. Matsunami: IEEE Trans. Electron Devices Lett. 17 (1996) 139.
• 5) D. Alok, R. Raghunathan and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1315.

Terms in the title (6)： 4H-SiC ,  高電圧 ,  整流器 ,  バナジウムイオン ,  注入 ,  ガードリング