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J-GLOBAL ID：200902121428981379   Reference number：00A0164509

Impact of induced lattice defects on performance degradation of AlGaAs/GaAs p-HEMTs.

AlGaAs/GaAs p-HEMTsの性能劣化についての誘起格子欠陥の影響

Author (9)： HAKATA T (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  KURODA S (Fujitsu quantum device Ltd., Yamanashi, JPN) ,  SIMOEN E (IMEC, Leuven, BEL) ,  NAKABAYASHI M (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  YONCOKA M (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  TAKAMI Y (Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN) ,  SUNAGA H (Takasaki JAERI, Gunma, JPN) ,  MIYAHARA K (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
Material： Physica B. Condensed Matter  (Phys B Condens Matter)
Volume： 273/274  Page： 1034-1036  Publication year： Dec. 1999 
JST Material Number： H0676B  ISSN： 0921-4526  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： AlGaAs ,  GaAs ,  性能劣化 ,  誘起 ,  格子欠陥