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J-GLOBAL ID：200902121597108943   Reference number：03A0088495

Fabrication and Modeling of Gigahertz Photodetectors in Heteroepitaxial Ge-on-Si Using a Graded Buffer Layer Deposited by Low Energy Plasma Enhanced CVD.

小エネルギプラズマ強化CVD蒸着のグレーデッドバッファ層を用いたヘテロエピタキシャルGe-on-Siによるギガヘルツ光検出器の製作とモデリング

Author (9)： JONES R E (Motorola, TX, USA) ,  THOMAS S G (Motorola, AZ, USA) ,  BHARATAN S (Motorola, AZ, USA) ,  ROSENBLAD C (Unaxis Balzers Ltd., LIE) ,  RAMM J (Unaxis Balzers Ltd., LIE) ,  ISELLA G (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  VON KAENEL H (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  OH J (Univ. Texas, TX, USA) ,  CAMPBELL J C (Univ. Texas, TX, USA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2002  Page： 793-796  Publication year： 2002 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *optical communication ,...

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JST classification (2)： Other optical transmission devices  (BD06040S) ,  Optical communication systems and equipment  (ND10000B)

Terms in the title (10)： エネルギ ,  プラズマ強化CVD ,  蒸着 ,  バッファ層 ,  Ge ,  Si ,  ギガヘルツ ,  光検出器 ,  製作 ,  モデリング