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J-GLOBAL ID：200902122775423897   Reference number：99A0935955

Time-Resolved Photoluminescence Study of Strain-Induced Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattice.

GaP/InP短周期超格子中に自己形成した歪誘起量子ドットの時間分解光ルミネセンス

Author (9)： FUDETA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NARUKAWA Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NOH J-H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI J (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 9A/B  Page： L1006-L1008  Publication year： Sep. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium phosphide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (8)：

• 1) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, K. Asami, M. Takeuchi and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4225.
• 2) S. J. Kim, H. Asahi, M. Takemoto, J. H. Noh, K. Asami and S. Gonda: Appl. Surf. Sci. 113/114 (1997) 97.
• 3) S. J. Kim, H. Asahi, K. Asami, M. Takemoto, M. Fudeta and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1540.
• 4) H. Gotoh, H. Ando, T. Takagahara, H. Kamada, A. Chavez-Pirson and J. Temmyo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4204.
• 5) J. H. Noh, H. Asahi, S. J. Kim and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 3818.

Terms in the title (9)： GAP ,  InP ,  短周期 ,  超格子 ,  自己形成 ,  歪 ,  誘起 ,  量子ドット ,  時間分解光ルミネセンス