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J-GLOBAL ID：200902123534650910   Reference number：98A0527422

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of High Quality Cubic GaN on GaAs (100) Substrates.

GaAs(100)基板上の高品質の立方晶GaNの有機金属蒸気エピタクシー成長

Author (5)： WU J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAGUCHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ONABE K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 3B  Page： 1440-1442  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (24)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku : Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417
• 3) K. Das and D. K. Ferry: Solid-State Electron. 19 (1976) 851.
• 4) M. Mizuta, S. Fujieda and Y. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) L945.
• 5) S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu and Y. Shiraki: J. Cryst. Growth 124 (1992) 439.

Terms in the title (6)： GaAs ,  高品質 ,  立方晶 ,  GaN ,  金属蒸気 ,  エピタクシー成長