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J-GLOBAL ID：200902125281735232   Reference number：02A0570411

Influences of Buried-Oxide Interface on Inversion-Layer Mobility in Ultra-Thin SOI MOSFETs.

極薄SOI膜MOSFETの反転層移動度に対する埋め込み酸化層界面の影響

Author (3)： KOGA J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 49  Issue： 6  Page： 1042-1048  Publication year： Jun. 2002 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SOI structure ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： SOI ,  MOSFET ,  反転層 ,  移動度 ,  埋め込み ,  酸化層 ,  界面