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J-GLOBAL ID：200902128153363380   Reference number：99A0506924

GaAs/Ge/GaAs Sublattice Reversal Epitaxy on GaAs (100) and (111) Substrates for Nonlinear Optical Devices.

非線形光学デバイスのためのGaAs(100)と(111)基板上のGaAs/Ge/GaAs副格子反転エピタクシー

Author (8)： KOH S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KONDO T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  EBIHARA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIWADA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAWADA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ICHINOSE H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHOJI I (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 5A  Page： L508-L511  Publication year： May. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nonlinear optical material ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (9)：

• 1) I. Shoji, T. Kondo, A. Kitamoto, M. Shirane and R. Ito: J. Opt. Soc. Am. B 14 (1997) 2268.
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• 5) S. Koh, T. Kondo, T. Ishiwada, C. Iwamoto, H. Ichinose H. Yaguchi, T. Usami, Y. Shiraki and R. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1493.

Terms in the title (6)： 非線形光学 ,  GaAs ,  Ge ,  副格子 ,  反転 ,  エピタクシー