Art

J-GLOBAL ID：200902129260208270   Reference number：00A0547265

Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate.

Si(111)基板上の選択領域成長GaNピラミッドにおける欠陥構造

Author (5)： TANAKA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIBINO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 19  Page： 2701-2703  Publication year： May. 08, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0547265&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： Si ,  領域成長 ,  GaN ,  ピラミッド ,  欠陥構造