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J-GLOBAL ID：200902129751586544   Reference number：97A0476844

Growth of Self-Organized GaN Nanostructures on Al₂O₃(0001) by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy.

RF-ラジカル源分子ビームエピタクシーによるAl₂O₃(0001)上への自己組織化GaNナノ構造の成長

Author (5)： YOSHIZAWA M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  MORI M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA N (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 36  Issue： 4B  Page： L459-L462  Publication year： Apr. 15, 1997 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： radical ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (9)：

• 1) S. Strite and H. Morkoç: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 10</b> (1992) 1237
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 3) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939
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• 5) A. C. Chen, A. M. May, P. J. Pearah, K. C. Hsieh and K. Y. Cheng: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1359

Terms in the title (8)： RF ,  ラジカル ,  分子ビームエピタクシー ,  Al2O3 ,  自己組織化 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  成長