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J-GLOBAL ID：200902129869395441   Reference number：97A0356893

Use of SiBN and SiBON Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition from Borazine as Interconnection Dielectrics.

ボラジンからプラズマ増強化学蒸着で作成したSiBNおよびSiBON皮膜の内部接続誘電体としての応用

Author (5)： KANE W F (IBM Res. Div., New York, USA) ,  COHEN S A (IBM Res. Div., New York, USA) ,  HUMMEL J P (IBM Res. Div., New York, USA) ,  LUTHER B (IBM Res. Div., New York, USA) ,  BEACH D B (Oak Ridge National Lab., Tennessee, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 144  Issue： 2  Page： 658-663  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： microelectronics ,...

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JST classification (3)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Salts  (CD01050V)

Terms in the title (5)： ボラジン ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  皮膜 ,  誘電体 ,  応用