Art

J-GLOBAL ID：200902131689216144   Reference number：01A0138907

GaN MESFETs on (111)Si substrate grown by MOCVD.

(111)Si基板上にMOCVDで成長させたGaNのMESFET

Author (4)： EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  NAKADA N (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 36  Issue： 21  Page： 1816-1818  Publication year： Oct. 12, 2000 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MESFET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0138907&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： Si基板 ,  MOCVD ,  成長 ,  GaN ,  MESFET