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J-GLOBAL ID：200902132032096994   Reference number：02A0698087

Local Tunneling Barrier Height Studies of the Initial Stage of Cs Adsorption on a Si(111) 7 × 7 Surface.

Si(111)7×7表面へのCs吸着の初期段階の局所的トンネル障壁高さによる研究

Author (4)： YAMADA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SINSARP A (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO S (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 8  Page： 5386-5389  Publication year： Aug. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Electron theory of adsorption  (CB12042Y) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Reference (19)：

• 1) I. Langmuir and K. H. Kingdon: Phys. Rev. 34 (1929) 129.
• 2) E. Wimmer and A. J. Freeman: Phys. Rev. B 28 (1983) 3074.
• 3) G. Hughes and R. Ludeke: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 1109.
• 4) H. I. Stainberg, P. Soukiassian, M. H. Bakashi and Z. Hurych: Phys. Rev. B 37 (1988) 1315.
• 5) P. Saukiassian, M. H. Bakashi, H. I. Stainberg, Z. Hurych, T. M. Gentle and K. P. Chuette: Phys. Rev. Lett. 59 (1987) 1488.

Terms in the title (7)： Si ,  Cs ,  吸着 ,  初期段階 ,  トンネル ,  障壁高さ ,  研究