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J-GLOBAL ID：200902133111695107   Reference number：01A0694074

Material Design of GaN-Based Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors.

GaNをベースにした強磁性希薄磁性半導体の材料設計

Author (2)： SATO K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA-YOSHIDA H (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 5B  Page： L485-L487  Publication year： May. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferromagnetic semiconductor ,...

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JST classification (2)： Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (16)：

• 1) H. Ohno: Science 281 (1998) 951.
• 2) H. Ohno: Science 291 (2001) 840.
• 3) G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L949.
• 4) H. Akinaga, T. Manago and M. Shirai: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1118.
• 5) Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara and H. Koinuma: Science 291 (2001) 854.

Terms in the title (4)： GaN ,  強磁性 ,  希薄磁性半導体 ,  材料設計