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J-GLOBAL ID：200902133556513068   Reference number：93A0395572

Fabrication of 5-7nm wide etched lines in silicon using 100keV electron-beam lithography and polymethylmethacrylate resist.

100keV電子ビームリソグラフィーとポリメタクリル酸メチルレジストを用いたシリコンの5~7nm幅エッチ細線の作製

Author (2)： CHEN W (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  AHMED H (Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 62  Issue： 13  Page： 1499-1501  Publication year： Mar. 29, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nanometer process ,...

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JST classification (2)： Applications of electron beams and ion beams  (BD02070X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 電子ビームリソグラフィー ,  ポリメタクリル酸メチル ,  レジスト ,  シリコン ,  エッチ ,  細線 ,  作製