Art

J-GLOBAL ID：200902134973037283   Reference number：00A0550051

Structural and Optical Characterization of Self-Formed GaP/InP Quantum Dots.

自己形成GaP/InP量子ドットの構造的並びに光学的な特性評価

Author (9)： GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI J (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  WATANABE D (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOH J H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUDETA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 29  Issue： 5  Page： 530-534  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...
Semi thesaurus term： GSMBE

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： 自己形成 ,  GAP ,  InP ,  量子ドット ,  光学 ,  特性評価