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J-GLOBAL ID：200902136559368947   Reference number：99A0420043

Impact of Nitridation Engineering on Microscopic SILC Characteristics of Sub-10-nm Tunnel Dielectrics.

サブ10nmトンネル絶縁膜の微視的SILC特性に対する窒化膜形成のエンジニアリング効果

Author (9)： OGATA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INOUE M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NAKAMURA T (Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUJI N (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KOBAYASHI K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROKAWA H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KANEOKA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OHNO Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1998  Page： 597-600  Publication year： 1998 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： トンネル絶縁膜 ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (5)： サブ ,  トンネル絶縁膜 ,  SILC ,  窒化膜 ,  エンジニアリング