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J-GLOBAL ID：200902136997713479   Reference number：96A0543116

Characterization of Stable Fluorine-Doped Silicon Oxide Film Prepared by Biased Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition.

バイアス印加ヘリコンプラズマ化学蒸着によって作製したふっ素ドープ安定化酸化けい素膜の特性評価

Author (5)： TAMURA T (Anelva Corp., Tokyo, JPN) ,  INOUE Y (Anelva Corp., Tokyo, JPN) ,  SATOH M (Anelva Corp., Tokyo, JPN) ,  YOSHITAKA H (Anelva Corp., Tokyo, JPN) ,  SAKAI J (Anelva Corp., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 35  Issue： 4B  Page： 2526-2529  Publication year： Apr. 1996 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...
Semi thesaurus term： TDS

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (12)：

• USHIKU, Y. Proc.Int.VLSI Multilevel Interconnection Conf. 1990, 413
• USAMI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, 408
• HOMMA, T. J.Electrochem.Soc. 1993, 140, 687
• HAYASAKA, N. Proc.15th Dry Process Symp. 1993, 163
• KITO, H. Proc.1995 Int.Conf.Solid State Devices and Materials. 1995, 160

Terms in the title (10)： バイアス ,  印加 ,  ヘリコンプラズマ ,  化学蒸着 ,  作製 ,  ふっ素 ,  ドープ ,  安定化 ,  酸化けい素膜 ,  特性評価