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J-GLOBAL ID：200902137042263750   Reference number：99A0289282

Ion beam assisted deposition of niobium nitride thin films for vacuum microelectronics devices.

真空マイクロエレクトロニクスデバイスのための窒化ニオブ薄膜のイオンビーム支援蒸着

Author (5)： GOTOH Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAGAO M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  URA T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUJI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISHIKAWA J (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
Volume： 148  Issue： 1/4  Page： 925-929  Publication year： Jan. 1999 
JST Material Number： H0899A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： microelectronics ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 真空マイクロエレクトロニクス ,  窒化ニオブ ,  薄膜 ,  イオンビーム支援蒸着