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J-GLOBAL ID：200902137737352681   Reference number：99A0053927

Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates.

自立したHVPE成長GaN基板の調製と特性

Author (5)： KIM S T (Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR) ,  LEE Y J (Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR) ,  MOON D C (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  HONG C H (LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR) ,  YOO T K (LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 194  Issue： 1  Page： 37-42  Publication year： Nov. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 自立 ,  HVPE ,  成長 ,  GaN ,  調製