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J-GLOBAL ID：200902137858869550   Reference number：01A0234440

“In-Situ” Observation of GaAs Surface in High Vacuum by Contact Angle Measurement.

高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察

Author (6)： MATSUSHITA KOICHI (山形大 工) ,  MOMBARA TAKUYA (山形大 工) ,  NAKAYAMA KEN (山形大 工) ,  NAGANUMA HIROSHI (山形大 工) ,  OKUYAMA SUMIO (山形大 工) ,  OKUYAMA KATSURO (山形大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J84-C  Issue： 2  Page： 136-143  Publication year： Feb. 01, 2001 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (15)：

• ISRAEL, S. C. Characterization of polymer surfaces by laser contact angle goniometry. ACS Polym. Prepr. 1989, 30, 328-329
• MATSUSHITA, K. Observation of HCl- and HF-treated GaAs surfaces by measuring contact angles of water droplets. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 8, 4576-4580
• MATSUSHITA, K. Hydrofluoric-treated GaAs surfaces analyzed by contact angle measurement and Auger electron spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 10, 5293-5296
• MATSUSHITA, K. Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surfaces analyzed by contact angle measurement. J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 4, 1381-1384
• 佐藤康博. 接触角を用いたHF 処理後の高濃度ドープ Si 表面の評価. 信学技報. 1992, SDM92-17

Terms in the title (4)： 高真空 ,  角測定法 ,  GaAs ,  観察